金属卤化物钙钛矿是新一代明星半导体材料,作为LED中的成功发光层材料,具有载流子迁移率高、高性钙钛色彩纯度高、红光色域广等优势。新闻纯红光钙钛矿LED作为三基色之一的中国制备光源,在未来高清显示领域极具潜力,科大矿L科学应用前景光明,成功但目前存在亮度与效率难以兼顾等研究难点。
樊逢佳团队自主研发的给LED“拍片子”的“黑科技”——电激发瞬态吸收光谱技术(EETA),探测LED内部的电子(负电)和空穴(正电),发现空穴泄漏到电子传输层是纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因。
姚宏斌团队提出一种新的材料结构设计——“三维钙钛矿异质结”有效抑制了空穴泄漏。团队在钙钛矿晶格内部插入有机分子,改变发光层晶体结构,构建了阻拦空穴离开发光层的“水坝”——“宽带隙能垒”,在实现载流子限域的同时,保持高迁移率。姚宏斌教授联合胡伟教授对这一创新型设计进行了理论结构分析,林岳教授则利用球差电镜充分验证了这一材料。
团队基于“三维钙钛矿异质结”创造的纯红光钙钛矿LED具有国际领先水平的高性能:峰值外量子效率(EQE)达到24.2%,与顶级OLED水平相当;最大亮度为24600 cd/m2(坎德拉每平方米),相比之前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升了三倍;并且器件展现出非常低的效率滚降——亮度为22670 cd/m2时,器件依然具有超过10%的EQE。
中国科学技术大学宋永慧(博士)、李波(博士后)、王子健(博士研究生)和台晓琳(博士研究生)为本文的共同第一作者;中国科学技术大学姚宏斌教授、樊逢佳教授、林岳教授和胡伟教授为本论文的共同通讯作者。本工作得到国家自然科学基金委、科技部等基金支持。理化科学实验中心为本课题的开展提供了SEM、PL、UV-vis、球差电镜等表征设备的支持。
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